电子设备功率密度持续攀升的今天，整板使用厚铜层常面临成本高、工艺复杂的问题。局部厚铜设计应运而生——它只在芯片底部、电源模块周边等热关键区域增加铜厚（通常3-8盎司），既保留散热优势，又避免材料浪费。这种设计就像在电路板上“精准植入散热铠甲”，让热量通过加厚的铜层快速导出，防止局部高温引发失效。

一、局部厚铜设计的核心价值

1. 解决“热岛效应”的利器
   高功率器件如MOSFET、IGBT工作时，芯片下方温度常比周围区域高30℃以上。局部加厚铜层（如从2盎司增至6盎司）可使该区域热阻降低40%以上，热量横向扩散速度提升2倍。某电动汽车控制器案例中，局部厚铜设计使MOSFET结温从112℃降至89℃，寿命延长3倍。

2. 成本与性能的平衡点
   相比整板厚铜，局部设计节省铜材用量30%-50%，降低蚀刻难度。例如，仅在高功率芯片下方设置10×10mm²的6盎司铜块，制造成本比整板6盎司方案低62%。

二、三大关键设计规范

1. 热源匹配：给发热大户“定制铠甲”
   设计人员需根据热源形状精确规划铜层边界。例如：

• 矩形芯片：铜层边缘超出芯片外缘至少3mm，避免热量在边界堆积；

• 多引脚模块：铜层需避开信号引脚，通过热过孔连接底层散热区。
  某服务器电源模块中，局部铜层超出GPU芯片边缘5mm，使散热面积增加40%，芯片温差缩小至8℃。

2. 阶梯过渡：缓解材料“拉扯”问题
   铜厚突变区域易因热膨胀系数差异（铜17ppm/℃ vs FR4基板13-50ppm/℃）产生应力裂纹。优化方案包括：

• 梯度过渡区：在厚铜区与薄铜区之间设置宽度≥2mm的斜坡铜层（如6oz→4oz→2oz）；

• 缓冲开槽：在过渡带加工0.2mm宽环形槽，填充柔性硅胶吸收应力。
  实测表明，斜坡过渡设计可使热循环寿命提升至2000次以上。

3. 散热强化：构建立体导热带
   局部厚铜需结合辅助散热结构：

• 微孔阵列：在芯片底部打0.3mm孔径热孔，密度≥50孔/cm²，导热效率提升40%；

• 铜基岛：高功率区采用分层铜结构（核心区4oz铜层+过渡区2oz铜层），搭配导热胶填充隔离带；

• 强制风冷接口：厚铜区域预留散热鳍片安装孔，方便加装主动散热器。

三、典型场景应用

1. 电动汽车电机控制器
   在IGBT模块下方设置局部8盎司铜层，配合底部水冷板：

• 铜层开窗露出基板，直接焊接水冷板铜管；

• 过渡区填充5W/(m·K)导热硅胶缓冲振动应力。
  该方案使峰值工作温度稳定在95℃以下，满足车规级耐久要求。

2. 5G基站功率放大器
   射频芯片局部厚铜设计要点：

• 采用蜂窝状铜层（六边形网格），比矩形布局增加15%有效散热面积；

• 铜层表面沉镍金处理，降低高频信号损耗。
  实测显示，蜂窝设计使功放温度比传统布局低12℃，信号失真率下降30%。

3. 工业变频器模块
   针对MOSFET阵列的局部厚铜方案：

• 每颗MOSFET设置独立铜岛，避免热耦合；

• 铜岛之间用2mm宽绝缘槽分隔，填充氧化铝导热胶。
  此设计使模块功率密度提升至50W/cm³，同时保持热点温差<15℃。

四、设计验证与制造落地

1. 仿真驱动设计迭代
   使用ANSYS Icepak进行多物理场验证：

• 在模型中标注局部厚铜区导热路径；

• 识别铜层边缘＞5℃/mm的热梯度突变区；

• 调整过渡带宽度直至应力值＜15MPa。某储能逆变器经3轮仿真优化，铜层应力风险点减少90%。

2. 制造工艺关键控制点
   与PCB厂商协同确保设计可行：

• 蚀刻补偿：6oz铜厚区域线宽需增加0.4mm，防止侧蚀导致短路；

• 层压参数：局部厚铜区压合温度降低10℃，避免树脂流动不均；

• 表面处理：厚铜区域优先选择沉金工艺，增强焊接可靠性。