传统引线键合（Wire Bonding）：通过金丝 / 铜线将芯片焊盘与封装引脚连接，工艺成熟、成本低，但存在明显短板 —— 互连长度较长（1-5mm），寄生电感（10-20nH）与寄生电容（0.5-1pF）较大，高频信号（≥10GHz）传输时衰减严重（衰减率＞0.5dB/mm），且互连密度低（每平方毫米最多 100 个互连点），无法满足多核心芯片的高带宽需求（如 GPU 需 1TB/s 以上的内存带宽）。因此，引线键合多用于中低端芯片（如 MCU、电源管理芯片），高性能芯片需更先进的互连方式。

倒装焊（Flip Chip）：将芯片翻转，通过底部的焊球（BGA）直接与封装基板连接，互连长度仅 0.1-0.3mm，寄生电感（1-3nH）与寄生电容（0.1-0.2pF）较引线键合降低 80% 以上，高频信号（50GHz）传输衰减率降至 0.1dB/mm 以下，且互连密度提升至每平方毫米 500-1000 个点，支持高带宽互连（如 DDR5 内存的 6400Mbps 带宽）。例如，手机 SoC 采用倒装焊 BGA 封装，内存接口带宽较引线键合提升 3 倍，可满足 4K 视频拍摄、AI 运算等高性能需求；进一步发展的 “混合键合（Hybrid Bonding）” 技术，通过铜 - 铜直接键合替代焊球，互连间距缩小至 10-20μm，带宽密度较倒装焊提升 10 倍（达 10TB/s/mm²），成为 3nm 及以下制程芯片的核心互连方案。

封装基板与散热盖：采用高导热封装基板，如添加铜箔或铝芯的基板（热导率 20-30W/m・K，较传统 FR-4 基板提升 10 倍），加速热量从芯片向基板传递；在封装顶部加装金属散热盖（铜或铝合金，热导率 380W/m・K），通过散热膏（热导率 5-12W/m・K）与芯片核心紧密贴合，热量经散热盖直接传递至外部散热器，热阻较无散热盖设计降低 60%（从 50℃/W 降至 20℃/W）。例如，高性能 GPU 采用 “铜底散热盖 + 均热板” 封装，核心温度可控制在 85℃以下，避免热节流，确保 1.8GHz 满频运行。

嵌入式散热结构：先进封装技术（如 Intel 的 EMIB、AMD 的 Infinity Fabric）引入嵌入式散热通道，在封装基板内部集成微型散热管或液冷流道，直接与芯片核心接触，热传导效率较传统散热盖提升 3-5 倍。例如，AI 训练芯片采用 “芯片 - 微流道” 直接接触式散热，单芯片散热功率可达 1000W 以上，支持 24 小时满负荷算力运行（如 100TOPS 的 AI 算力无性能衰减）。

阻抗匹配设计：封装互连的特性阻抗需与芯片核心、PCB 线路保持一致（如 50Ω 或 60Ω），通过调整互连线路宽度（如 50Ω 阻抗对应 35μm 铜箔厚度下线路宽度 0.8mm）、介质厚度（封装基板介质厚度 0.2-0.4mm）实现。阻抗不匹配会导致信号反射（反射系数＞10%），高频信号（25GHz）反射后会产生驻波，传输速度降低 15%-20%；采用 “阻抗校准结构”（如终端匹配电阻、蛇形线），可将反射系数降至 5% 以下，确保信号稳定传输。

串扰抑制：封装内互连密度高（如每平方毫米 1000 个互连点），相邻信号线路易产生串扰（干扰信号幅度＞10%），导致数据误码率上升（如误码率从 10⁻¹² 升至 10⁻⁸）。通过 “屏蔽隔离” 设计，在信号线路之间设置接地线路或金属屏蔽层，串扰幅度可降至 5% 以下；采用 “差分信号传输”，将信号分为正负两路，通过两路信号的差值传递信息，串扰干扰会被抵消，误码率可恢复至 10⁻¹² 水平，满足高带宽信号（如 PCIe 6.0 的 64GB/s 带宽）传输需求。