电源完整性（PI）是多层 PCB 稳定工作的基础，其核心是确保各器件获得稳定的电压（纹波＜5%）和足够的电流（裕量＞20%）。多层板通过专用电源层与接地层的设计，可显著降低电源阻抗（从双层板的 100mΩ 降至 10mΩ 以下），抑制噪声干扰。

一、电源 / 接地层的阻抗特性与设计

电源分配网络（PDN）的阻抗（ZPDN）直接影响电源稳定性，叠层设计需重点控制：

• 阻抗频率特性：低频段（＜1MHz）阻抗由电源平面电感决定，高频段（＞10MHz）由电源与接地层的寄生电容决定。目标是全频段 ZPDN＜目标阻抗（通常为 10-50mΩ，按最大电流计算：Ztarget=5% Vcc/Ipeak）。

• 电源层与接地层的电容计算：平面电容 C=ε0×εr×A/h，其中 A 为平面面积，h 为层间距。例如，100mm×100mm 的 FR-4 平面（h=0.1mm）可提供约 3.7nF 电容，在 100MHz 时阻抗 Z=1/(2πfC)≈43mΩ，可抑制高频噪声。

• 叠层优化策略：① 减小层间距（h＜0.2mm）增加电容（每减小 0.05mm，电容增加约 30%）；② 增大电源平面面积（覆盖 80% 以上 PCB 区域）；③ 对多电源系统，用独立电源层（如 3.3V 和 1.8V 各占一层）避免交叉干扰。

二、电源层分割与布局规则

多电源系统需对电源层进行分割（Power Plane Split），但不当分割会导致信号完整性问题：

• 分割方式选择：① 物理分割：在电源层划分独立区域（如左侧 3.3V，右侧 5V），适用于电源电流大（＞5A）的场景，分割线宽度≥2mm（避免边缘效应）；② 虚拟分割：通过布线实现不同电源区域，适用于小电流（＜1A），但需注意与接地层的对应关系。

• 关键规则：① 分割线避免穿过高速信号布线区域（否则信号跨分割，参考平面不连续）；② 相邻电源区域的电压差＞1V 时，分割间距≥0.5mm（防止电弧击穿）；③ 模拟电源与数字电源的分割线需与接地层的分割线对齐（形成完整隔离）。

• 优化案例：某 6 层板含 3.3V（数字）、1.8V（内核）、5V（模拟）电源，采用 “3.3V 与 1.8V 横向分割（中间留 0.5mm 间隙），5V 单独占一层” 的方案，配合接地层完整设计，电源噪声从 100mV 降至 30mV。

三、去耦电容与叠层的协同设计

去耦电容是抑制电源噪声的关键元件，其效果与叠层布局密切相关：

• 电容放置原则：去耦电容需靠近芯片电源引脚（距离＜5mm），且焊盘需直接连接到电源层与接地层（通过过孔，过孔间距＜2mm）。叠层设计中，电容所在层与电源 / 接地层的距离需＜0.2mm（减少过孔电感，电感值＜1nH）。

• 电容与平面的配合：低频去耦（10kHz-1MHz）依赖大容量电容（10-100μF），高频去耦（10MHz-1GHz）依赖电源平面电容，超高频（＞1GHz）依赖小容量电容（0.1-1nF）。叠层设计需确保电容过孔能快速接入平面（如在电源层预留电容焊盘的开窗）。

• 叠层优化：在芯片下方的电源层与接地层间设置 “电容阵列区”，层间距减小至 0.1mm（增加平面电容），同时放置 10-20 个 0.1nF 电容，可将 100MHz 以上噪声降低 20-30dB。某 FPGA 设计中，通过此方案将内核电源噪声从 50mV 降至 15mV。

四、散热设计与叠层布局

多层 PCB 的电源层同时承担散热功能，叠层设计需兼顾电气性能与热管理：

• 铜厚选择：电源层铜厚≥35μm（优选 70μm），大电流路径（＞3A）需局部加厚（105μm）或铺铜（铜皮面积≥1cm²/A）。叠层中，电源层应靠近表层（便于散热到外壳），或与接地层交替排列（形成热传导通道）。

• 热隔离设计：功率器件（如 DC-DC 转换器）所在区域的电源层需与其他区域分割，避免热量扩散到敏感元件（如传感器）。层间可采用高导热材料（如铝基覆铜板，导热系数＞2W/m・K），比 FR-4（0.3W/m・K）散热效率提升 5-10 倍。

• 仿真验证：通过热仿真（如 ANSYS Icepak）分析叠层温度分布，确保热点温度＜85℃（工业级）或＜125℃（军工级）。某电机驱动板的 8 层设计中，将功率器件下方的电源层铜厚增至 105μm，温度从 105℃降至 78℃。

五、电源完整性测试与叠层优化

电源完整性需通过测试验证，并根据结果调整叠层设计：

• 测试方法：① 阻抗测试：用矢量网络分析仪（VNA）测量 PDN 阻抗（10kHz-1GHz），需＜目标阻抗；② 噪声测试：用示波器（带宽≥1GHz）测量电源纹波，峰峰值需＜5% Vcc；③ 热成像：用红外热像仪检测热点温度。

• 常见问题与解决：① 阻抗超标（高频段＞50mΩ）：减小电源层与接地层间距（如从 0.2mm 减至 0.1mm）；② 噪声过大：增加去耦电容数量或减小层间距；③ 局部过热：增加该区域铜厚或调整叠层顺序（将电源层移至表层）。

• 迭代优化案例：某服务器主板初始 8 层设计中，12V 电源在 200MHz 处阻抗达 80mΩ（超标），通过将 VCC 与 GND 层间距从 0.2mm 减至 0.15mm，并增加 10 个 1nF 去耦电容，阻抗降至 45mΩ，满足设计要求。