典型参数：厚度 1.0μm±0.2μm，银纯度≥99.9%（避免杂质影响导电性），存储周期≤2 个月（25℃/50% RH 环境），焊接良率≥99%。

案例：某智能手表 PCB 初始选 1.5μm 沉银层，单块成本 2.1 元；改用 1.0μm 后，成本降至 1.7 元，批量 100 万片节省 40 万元。同时，焊接良率从 99.2% 微降至 98.9%，仍满足消费电子标准（≥98%），且无氧化、虚焊问题。

典型参数：厚度 1.4μm±0.2μm，添加 0.1-0.3% 防迁移元素（如铟、铋），可耐受 260℃回流焊 3 次，盐雾测试 24 小时无腐蚀。

案例：某变频器 PCB 选 1.0μm 沉银层，存储 4 个月后银层氧化率达 8%，高温工作时出现轻微银迁移；调整为 1.4μm 含铟沉银层后，存储 6 个月氧化率降至 1.2%，高温运行 1000 小时无迁移现象。

典型参数：厚度 1.8μm±0.2μm，表面粗糙度 Ra≤0.1μm（减少信号散射），银纯度≥99.95%，湿度测试（40℃/90% RH，1000 小时）无氧化。

案例：某 5G 基站 PCB（3.5GHz 信号）选 1.2μm 沉银层，实测信号插入损耗 1.0dB/cm；改用 1.8μm 厚层后，损耗降至 0.7dB/cm，满足设计要求（≤0.8dB/cm）。某医疗监护仪 PCB 用 1.8μm 沉银层，使用寿命达 6 年，仍保持良好导电性。