导热性能：导热系数约 15-35W/(m・K)（99% 纯度），虽低于其他陶瓷材料，但远高于 FR-4 基板（0.3W/(m・K)），可满足中低功率设备的散热需求；

电气性能：介电常数（Dk）约 9-10（1GHz），介电损耗（Df）≤0.001，绝缘电阻≥10¹⁴Ω，适合高频信号传输（≤10GHz）；

机械与热性能：弯曲强度约 300-400MPa，热膨胀系数（CTE）约 7-8ppm/℃（与硅芯片 CTE 3-4ppm/℃接近），耐高温性优异（长期耐温≥1000℃）；

成本优势：原材料丰富，制备工艺成熟，成本仅为氮化铝陶瓷的 1/3-1/2，适合批量应用。

导热性能：导热系数高达 170-230W/(m・K)，是氧化铝陶瓷的 5-7 倍，接近金属铝（237W/(m・K)），可快速导出高功率器件产生的热量；

电气性能：Dk 约 8-9（1GHz），Df≤0.0008，绝缘性能优异，适合高频、高功率信号传输（如 5G 基站功率放大器）；

机械与热性能：弯曲强度约 350-450MPa，CTE 约 4.5-5.5ppm/℃，与硅、碳化硅（SiC）芯片的 CTE 匹配度极高，可减少温度循环产生的应力；

成本局限：原材料纯度要求高（≥99.9%），制备工艺复杂，成本较高，适合高附加值产品。

机械性能：弯曲强度高达 600-800MPa，是氧化铝陶瓷的 2 倍，断裂韧性约 7-8MPa・m^(1/2)，抗冲击能力强；

热性能：导热系数约 80-120W/(m・K)，CTE 约 3.2-3.8ppm/℃，与硅芯片匹配度最佳，抗热震性优异（从 1000℃骤冷至室温无开裂）；

电气性能：Dk 约 6.5-7.5（1GHz），Df≤0.001，绝缘电阻≥10¹⁴Ω，适合极端环境下的高频应用；

成本与工艺：制备工艺最复杂（需高温烧结，温度≥1700℃），成本最高，约为氮化铝陶瓷的 2 倍。

导热性能：导热系数高达 250-300W/(m・K)，是目前导热性能最好的绝缘陶瓷材料；

毒性风险：氧化铍粉末具有剧毒，吸入后会导致肺部疾病，生产与使用需严格防护，欧盟 RoHS 指令对其使用有严格限制；

应用局限：仅在特殊高功率场景（如军用雷达、核工业设备）少量应用，民用领域已逐步被氮化铝陶瓷替代。

散热效率对比：以 10W LED 芯片为例，采用 FR-4 PCB 时，芯片工作温度高达 120℃；采用氧化铝陶瓷 PCB 时，温度降至 85℃；采用氮化铝陶瓷 PCB 时，温度进一步降至 60℃，完全满足 LED 芯片的长期稳定工作需求（≤85℃）；

散热结构优势：陶瓷基板可直接与金属散热器焊接，形成 “陶瓷 - 金属” 一体化散热结构，热阻较传统 “PCB - 导热垫 - 散热器” 结构降低 50% 以上。

耐高温测试：氧化铝陶瓷 PCB 可在 800℃环境下长期工作，氮化硅陶瓷 PCB 可承受 1200℃短期高温，而 FR-4 PCB 在 260℃以上即会碳化分解；

抗腐蚀测试：在 5% 氯化钠盐雾环境中，陶瓷 PCB 可保持 5000 小时无腐蚀，而 FR-4 PCB 在 1000 小时后即出现线路腐蚀；

抗辐射测试：陶瓷材料具有优异的抗辐射性能，在 100krad 剂量的 γ 射线辐射下，电气性能变化率≤5%，适合航天、核工业等辐射环境。

信号损耗对比：在 28GHz 5G 频段下，氧化铝陶瓷 PCB 的信号传输损耗约 0.5dB/cm，氮化铝陶瓷 PCB 约 0.4dB/cm，而 FR-4 PCB 高达 1.2dB/cm；

阻抗稳定性：陶瓷材料的 Dk 随温度变化率≤1%（-40℃至 125℃），远低于 FR-4 PCB 的 5%，可确保高频信号的阻抗稳定，减少信号反射与串扰。

热变形对比：在 - 40℃至 125℃温度循环中，氧化铝陶瓷 PCB 的尺寸变化率≤0.01%，而 FR-4 PCB 约 0.1%，可避免因热变形导致的元器件焊接失效；

组装精度：陶瓷 PCB 的平整度（≤0.1mm/m）远高于 FR-4 PCB（≤0.3mm/m），适合高精度元器件（如微型传感器、SiP 模组）的贴装，贴装良率提升至 99.5% 以上。