电压域隔离：不同电压的电源（如 1.2V CPU 核心电源、3.3V IO 电源）在同一平面共存时，若不分割，电压差会导致电流窜流，产生共地噪声。通过分割形成独立电压域，可使各电源回路互不干扰，例如将 1.2V 区域与 3.3V 区域隔离后，两者的噪声串扰可从 - 20dB 降至 - 40dB 以下。

噪声源隔离：数字电路（如 FPGA）是高频噪声源（噪声频率 100MHz-1GHz），模拟电路（如 ADC）对噪声敏感（允许噪声≤10mV），若共用电源平面，数字噪声会通过电源耦合至模拟电路，导致模拟信号失真。分割后，数字电源域与模拟电源域通过独立路径供电，模拟电路的噪声可控制在 5mV 以内。

隔离式分割：通过 “无铜区域”（宽度≥2mm）将电源平面划分为独立区块，适用于电压差大（如 5V 与 12V）或噪声敏感度差异大的场景。例如，工业控制 PCB 中，将 24V 功率电源域与 3.3V 信号电源域用 2mm 无铜区隔离，可避免功率噪声干扰信号电路。

沟槽式分割：在电源平面刻蚀出窄沟槽（宽度 0.2-0.5mm）实现隔离，适用于空间紧张的高密度 PCB（如手机主板）。沟槽深度需贯穿整个电源层铜箔（厚度 18-35μm），确保电气隔离，同时需在沟槽两端放置接地过孔（间距≤5mm），抑制沟槽处的电磁辐射。

过孔阵列分割：通过密集接地过孔（间距≤λ/20，λ 为最高噪声频率波长）形成 “电磁屏障”，适用于高频场景（如射频 PCB）。例如，5G 射频 PCB 中，将 2.8V 射频电源域用接地过孔阵列（间距 0.5mm）与其他区域隔离，可减少射频噪声泄漏，辐射值从 45dBμV/m 降至 30dBμV/m 以下。

优先保证参考平面连续：高速信号层（如 DDR5、PCIe）的参考平面若为电源平面，分割时需避免参考平面断裂。例如，DDR5 信号的参考电源平面分割时，分割线需与信号走线垂直，且断裂处长度≤信号波长的 1/20（10Gbps 信号波长 15mm，断裂处≤0.75mm），防止阻抗突变（阻抗偏差从 ±10% 扩大至 ±20%）。

分割边界远离敏感电路：模拟电路（如运算放大器）、射频电路（如功率放大器）的电源域边界需远离其信号走线，距离≥3mm，避免分割边界的电场突变干扰敏感信号。例如，ADC 电路的电源域边界与 ADC 输入走线的距离需≥5mm，否则输入信号的信噪比会从 60dB 降至 50dB 以下。

电源域面积匹配电流需求：电源域的铜箔面积需根据最大工作电流计算，公式为：面积 S=I×t/(k×ΔT)（I 为最大电流，t 为电流持续时间，k 为铜箔导热系数，ΔT 为允许温升）。例如，10A 电流持续 1s，铜箔厚度 35μm，允许温升 20℃，则需电源域面积≥10×1/(386×20)×10^6≈1300mm²（k=386W/m・K），避免铜箔过热烧毁。

接地策略协同：分割后的电源域需对应独立接地域（如数字地、模拟地），且电源域与接地域的边界需对齐，形成 “电源 - 地” 匹配的隔离区域。例如，模拟电源域与模拟地域的边界偏差需≤0.5mm，否则会形成 “地环路”，引入额外噪声（噪声值增加 10-15mV）。

制造可行性控制：分割区域的最小宽度需≥0.2mm（满足 PCB 制造公差），无铜区域的最小面积≥1mm×1mm，避免蚀刻残留导致短路；同时，分割后的电源平面需保持对称结构（如上下层电源域位置镜像），减少层压翘曲（翘曲度从 0.8% 降至 0.5% 以下）。