测试方法：按 IPC-TM-650 2.6.25 标准，在沉银焊盘间施加 50V 直流电压，置于 85℃/85% RH 环境中，持续 1000 小时，观察是否出现银迁移；

判定标准：无针状 / 树枝状银结晶，焊盘间绝缘电阻≥10^8Ω；

案例：某工业 PCB 沉银工艺（1.2μm 无防迁移元素）测试 500 小时出现银迁移，绝缘电阻降至 10^6Ω；添加 0.2% 铟后，测试 1000 小时无迁移，绝缘电阻保持 10^9Ω。

回流焊测试：按无铅回流焊曲线（峰值 260℃，保温 30 秒）循环 3-5 次，检测银层是否剥离、变色；

高温存储测试：置于 125℃环境中 1000 小时，检测银层氧化率（≤2%）、导电性（电阻变化≤5%）；

判定标准：回流焊后银层无剥离、变色，高温存储后氧化率≤2%，电阻变化≤5%；

案例：某高频 PCB 沉银层（1.8μm）回流焊 5 次后，无剥离变色；125℃存储 1000 小时，氧化率 1.5%，电阻变化 3%，满足要求。

盐雾测试：按 GB/T 2423.17 标准，5% 氯化钠溶液，35℃，喷雾 24-48 小时，观察银层是否腐蚀；

湿度测试：40℃/90% RH 环境中 1000 小时，检测银层是否氧化、结合力是否下降；

判定标准：盐雾测试 24 小时无腐蚀（工业场景）、48 小时无腐蚀（高可靠场景）；湿度测试后结合力下降≤10%。

方法：用原子力显微镜（AFM）检测银层表面，扫描范围 5μm×5μm；

判定标准：Ra≤0.1μm（粗糙度过高会导致信号散射，增加插入损耗）；

案例：某 5G PCB 沉银层 Ra=0.15μm，插入损耗 1.0dB/cm；优化沉银工艺（降低温度、减慢速率）后 Ra=0.08μm，损耗降至 0.7dB/cm。

方法：在 1-10GHz 频段，测试沉银微带线的阻抗变化（温度 - 40℃~85℃）；

判定标准：阻抗变化≤±3%，满足高频信号要求；

案例：某毫米波雷达 PCB（24GHz）阻抗变化 ±4.5%，调整银层厚度至 1.8μm 后，变化≤±2.5%。

监控项目：沉银厚度（±0.1μm）、温度（±1℃）、时间（±30 秒）、银层纯度（≥99.9%）；

监控频率：每小时记录 1 次，绘制 X-R 控制图，超出控制限（±3σ）时立即停机调整；

案例：某 PCB 厂通过 SPC 监控，沉银厚度差异从 15% 缩小至 5%，银层合格率提升至 99.5%。

抽样比例：每批次抽取 0.5%（最少 5 片），进行厚度、外观、附着力测试（胶带测试无锡层脱落）；

不合格处理：若某项目不合格（如厚度偏差超标），扩大抽样至 5%，仍不合格则全批次返工；

案例：某批次 PCB 抽样发现银层厚度仅 0.7μm（要求 1.0μm），扩大抽样后确认 12% 的产品不合格，及时返工避免客户投诉。

外观检查：用 20 倍显微镜观察缺陷形态（如银迁移、氧化）；

截面分析：制作沉银层截面样品，用扫描电子显微镜（SEM）观察银层与铜箔界面，判断结合力；

成分分析：用 X 射线能谱仪（EDS）检测银层成分，确认防迁移元素含量是否达标；

案例：某批次 PCB 出现银迁移，EDS 检测发现防迁移元素铟仅 0.05%（要求 0.1-0.3%），追溯为药剂添加不足，调整后问题解决。