蚀刻液：选用酸性氯化铜溶液（Cu²+ 90g/L，HCl 210g/L），成本低且蚀刻速率快；

喷淋系统：采用 “下喷淋为主 + 上喷淋辅助”（下喷淋压力 1.3kg/cm²，上喷淋 1.0kg/cm²），避免单面板因单侧受力导致的偏移；

参数：温度 45℃，蚀刻时间 70 秒（35μm 铜箔），线宽偏差控制在 ±0.05mm 内，满足单面板的常规需求。

蚀刻液：外层用酸性蚀刻液（侧蚀小），内层用碱性蚀刻液（保护基材）；

喷淋系统：双侧对称喷淋（压力均 1.2kg/cm²，喷嘴间距 12cm），确保双侧蚀刻速率偏差≤5%；

定位：采用 PIN 针定位（精度 ±0.02mm），避免蚀刻过程中 PCB 偏移导致的线路错位；

后处理：蚀刻后立即进行 “钝化处理”（铬酸盐溶液浸泡 10 秒），防止铜箔氧化，提升双面板的存储寿命。

蚀刻液：选用低浓度碱性蚀刻液（Cu²+ 55g/L，NH3・H2O 90g/L），减少对内层基材的腐蚀；

掩膜：采用干膜掩膜（厚度 35μm），比湿膜掩膜的抗蚀性强 30%，避免内层线路 “过蚀”；

蚀刻时间：35μm 铜箔控制在 100 秒，比外层蚀刻长 30 秒，确保内层铜箔完全蚀刻，无残铜；

检测：蚀刻后通过 “透光检测”（强光照射内层线路，观察是否有透光点）排查残铜，透光检测合格率需≥99.5%，避免层压后出现短路。

蚀刻液：选用弱酸性蚀刻液（Cu²+ 85g/L，HCl 190g/L，添加 0.3% 缓蚀剂），缓蚀剂可减少 PTFE 基材的溶胀；

温度：降低至 40℃（比常规低 5℃），避免高温导致 PTFE 基材变形；

蚀刻后处理：采用 “微蚀刻”（硫酸 + 过氧化氢溶液，蚀刻量 0.5μm），降低铜箔表面粗糙度（Ra 从 1.8μm 降至 1.2μm），满足高频信号传输的低损耗需求；

检测：通过原子力显微镜（AFM）检测铜箔粗糙度，确保 Ra≤1.5μm，符合高频板的性能要求。

残铜率从 2% 降至 0.3%，层间短路率从 1.5% 降至 0.2%；

PTFE 基材蚀刻后的变形量≤0.1mm（200mm×300mm 基板），满足高频板的尺寸要求；

铜箔粗糙度 Ra 控制在 1.3μm，高频信号（28GHz）的导体损耗降低 0.2dB/m。