采用沟槽式分割（宽度 0.2-0.3mm），节省空间，适配轻薄 PCB（如手机主板厚度 0.8mm）；分割边界用接地过孔阵列（间距 5-8mm）隔离，避免噪声串扰。

电源域面积最小化，根据芯片电流需求计算（如 1A 电流需铜箔面积≥0.7mm²），避免浪费空间；例如，智能手表 PCB 的 1.8V 电源域，面积控制在 5mm×5mm 以内，满足 0.5A 电流需求。

优先使用内层电源平面，表层仅保留必要的电源走线，减少表层空间占用，提升布线密度。

选型：以小封装 MLCC 为主（0402、0201），如 0402 封装 1μF X5R 电容（成本低、体积小），高频场景（如射频电路）选用 0402 封装 10nF C0G 电容。

放置：电容紧贴芯片电源引脚（距离≤1.5mm），接地过孔与电容间距≤0.8mm，寄生电感控制在 1nH 以内；采用 “矩阵布局”（如 4 颗 0402 电容围绕 1 个电源引脚），覆盖多频段噪声。

成本控制：同容值电容选用同一品牌、同一批次，降低采购成本；避免过度设计（如无需在非敏感电路放置高频电容），减少电容数量。

采用隔离式分割（无铜区域宽度 2-3mm），增强噪声隔离，适配高温环境（避免沟槽因热膨胀导致短路）；分割边界放置高密度接地过孔（间距≤5mm），抑制振动导致的噪声泄漏。

大电流电源域（如 12V 电机电源）采用厚铜箔（70-105μm），铜箔面积按电流密度 1A/mm² 计算（20A 电流需面积≥20mm²），避免过热；同时在铜箔上设计 “散热网格”（网格宽度 1mm），提升散热效率。

模拟电源域（如传感器供电）与数字电源域完全隔离，且模拟域接地采用 “单点接地”（仅在电源入口处接地），避免地环路噪声。

选型：选用耐温材质（X7R、C0G），额定电压≥1.5 倍工作电压（如 12V 电源用 25V 电容）；大电流场景用钽电容（如 100μF/25V），抗振动能力强（振动测试后容值衰减≤5%）。

放置：电容与电源引脚距离≤2mm，接地过孔用 0.5mm 大直径孔（抗振动），过孔数量≥2 个（冗余设计）；电容采用 “防振布局”，与 PCB 边缘距离≥3mm，避免振动导致焊盘脱落。

可靠性验证：电容需通过 AEC-Q200 认证（被动元器件汽车级标准），测试包括温度循环（-40℃-125℃，1000 次）、振动（20G，10-2000Hz）、湿度（85℃/85% RH，1000h），确保长期稳定。

采用过孔阵列分割（间距≤3mm），配合金属屏蔽层，形成 “电磁密封”，抑制真空环境下的辐射噪声；分割区域铜箔厚度≥70μm，抗辐射能力强（总剂量辐射 100kGy 后铜箔电阻增加≤5%）。

电源域采用 “冗余设计”，如关键电源（如导航系统 3.3V 电源）设置双电源平面，通过冗余过孔连接，避免单点故障导致供电中断。

避免跨层分割，所有电源域在同一层完成分割，减少层间连接带来的可靠性风险；分割边界用镀金过孔（抗腐蚀），确保长期导通。

选型：选用抗辐射、耐极端温度的电容，如 C0G 材质 MLCC（-180℃-150℃容值偏差≤3%）、钽聚合物电容（辐射总剂量 100kGy 后容值衰减≤10%）；额定电压≥2 倍工作电压（如 3.3V 电源用 10V 电容），冗余设计。

放置：电容与电源引脚距离≤1mm，接地过孔采用 “盲埋孔”（减少层间连接），寄生电感≤0.5nH；每颗电容旁放置 1 个冗余电容（同型号），避免单颗电容失效导致供电问题。

测试验证：电容需通过 NASA-STD-883（航天元器件测试标准），包括真空放电测试（1×10^-3Pa）、辐射测试（100kGy）、极端温度循环（-180℃-150℃，1000 次），确保零缺陷。