USB2.0/3.2 基础电源拓扑：USB2.0（5V/500mA）与 USB3.2（5V/900mA）采用 “线性稳压器（LDO）+ 电容滤波” 拓扑，LDO 输入电压需比输出电压高 0.5-1V（如输出 5V 时输入 5.5-6V），确保稳压效果；输出端并联 “大容量电解电容（10μF）+ 高频陶瓷电容（0.1μF）”，电解电容滤除低频纹波（＜100kHz），陶瓷电容滤除高频纹波（＞1MHz），纹波电压控制在≤50mV；电源线路宽度需根据电流计算 ——5V/1A 电流对应的 35μm 铜箔线路宽度≥1mm，避免线路过热（温度≤60℃）。

USB PD 高压大电流拓扑：USB PD（如 20V/5A）需采用 “DC-DC 转换器 + 同步整流” 拓扑，DC-DC 转换器选用同步降压型（如 TI 的 TPS5430），效率可达 90% 以上（高于 LDO 的 70%），减少发热；同步整流管选用低导通电阻（＜10mΩ）的 MOS 管，降低导通损耗；电源线路采用 “厚铜设计”（铜箔厚度 70-105μm），20V/5A 电流对应的线路宽度≥3mm（35μm 铜箔需 6mm，70μm 铜箔需 3mm），同时采用 “多线路并联”（如 2 条 3mm 宽线路并联），进一步降低线路阻抗（从 50mΩ 降至 25mΩ）。

输入滤波与防反接保护：USB 电源输入端需串联 “自恢复保险丝（PTC）”，电流超过额定值（如 USB2.0 选 1A PTC）时自动断开，避免短路烧毁；并联 “TVS 二极管”（如 SMBJ5.0CA），钳位电压≤6.5V，防止输入电压尖峰（如插拔时的 24V 瞬时高压）损坏电路；同时并联 “共模电感”（电感值 10-20μH），抑制共模干扰（如电网引入的 50Hz 噪声），共模抑制比（CMRR）提升至 40dB 以上。

输出端纹波抑制：除基础电容滤波外，USB 电源输出端需添加 “π 型滤波网络”（电感 + 电容 + 电容），电感选用铁氧体磁珠（阻抗 100Ω@100MHz），电容选用低 ESR（等效串联电阻）陶瓷电容（ESR＜5mΩ），纹波电压可从 100mV 降至 20mV 以下；对于 USB PD 高压输出（如 12V、20V），需在输出端添加 “电压反馈回路”，通过分压电阻（精度 ±1%）实时监测输出电压，反馈至 DC-DC 转换器，调整占空比，确保电压波动≤±2%（如 20V 输出波动≤0.4V）。

信号线路 EMC 防护：USB 差分对需采用 “屏蔽布线”，在差分对两侧铺设接地过孔（间距≤0.5mm），形成 “接地屏蔽墙”，辐射强度可降低 20-30dB；高速 USB（≥5Gbps）需在 PCB 边缘设置 “EMC 吸收材料”（如铁氧体贴片，厚度 0.2mm），吸收高频辐射（5-10GHz）；同时，USB 接口处需添加 “共模滤波器”（如 TDK 的 ACM 系列），共模阻抗≥100Ω@100MHz，抑制共模辐射（辐射值从 50dBμV/m 降至 30dBμV/m 以下）。

电源线路 EMC 防护：USB 电源线路需串联 “差模电感”（电感值 1-10μH），抑制差模干扰（如开关电源产生的 100kHz-1MHz 噪声）；并联 “X 电容”（0.1-0.47μF，符合安规标准），滤除电源线间的差模噪声；对于 USB PD 高压线路，需在电源与地之间并联 “Y 电容”（1000pF，耐压≥250V），抑制共模噪声，同时满足安规要求（漏电流≤0.5mA）；此外，电源线路与信号线路的间距需≥3mm，避免电源噪声耦合至信号线路（串扰幅度从 10% 降至 3% 以下）。

单点接地与地平面分区：USB 信号地（如 D+、D - 的参考地）与电源地（如 5V、12V 地）需采用 “单点接地”，在 USB 接口附近通过一个过孔连接，避免形成地环路（地环路会引入 50Hz-1kHz 的工频干扰）；PCB 地平面需分区设计 —— 信号地平面（USB 差分对下方）、电源地平面（电源线路下方）、模拟地平面（如 USB 芯片模拟部分），各区之间通过 “窄颈连接”（宽度 0.5-1mm），减少不同地之间的干扰；高速 USB 地平面需完整，避免地平面断裂（断裂会导致信号回流路径变长，辐射增强）。

接口接地与屏蔽连接：USB 接口的金属外壳需通过 “多点接地” 连接至地平面（接地过孔间距≤1mm），外壳与地平面的接触电阻≤1Ω，形成 “屏蔽腔体”，减少外部干扰进入；USB 芯片的接地引脚需通过 “最短路径” 连接至地平面（距离≤3mm），避免接地引脚过长导致接地阻抗增大（阻抗从 1Ω 增至 10Ω 会使 EMC 辐射增强 10dB）；此外，USB 接口附近需设计 “接地测试点”，方便生产时测量接地电阻，确保接地良好。