高功率密度：工业设备小型化趋势下，逆变器 PCB 功率密度需≥5W/cm²（传统≤3W/cm²），需在有限面积内集成大电流功率器件（如 IGBT、MOSFET）；

强散热能力：逆变器工作时功率器件发热量大（如 IGBT 结温可达 125℃），PCB 需具备高效散热能力，确保 PCB 表面温度≤85℃（环境温度 60℃时）；

高可靠性：需耐受大电流冲击（如启动电流是额定电流的 3-5 倍）、电网波动（电压 ±10%），以及工业环境的振动、粉尘，使用寿命≥10 年。

功率回路设计：将整流桥、IGBT、滤波电容等功率器件就近布局，形成 “最短电流路径”（长度≤50mm），铜箔宽度根据电流确定（如 10A 电流铜箔宽度≥2mm，30A≥5mm），减少线路阻抗（阻抗≤5mΩ），降低铜损（铜损≤1W）；

多层铜箔叠加：采用 4 层以上 PCB，功率回路采用 “顶层 + 底层 + 中间层” 多层铜箔并联（如 3 层 35μm 铜箔等效 105μm 厚铜），电流承载能力提升 2 倍（如单层 35μm 铜箔承载 10A，三层可承载 20A）。

模块化设计：将驱动电路、保护电路（过流、过压）与功率器件集成在同一 PCB 区域，采用 SMT 功率器件（如 TO-252 封装 MOSFET）替代插件器件，减少 PCB 面积占用（面积减少 30%）；

散热与布局协同：将发热器件（IGBT、整流桥）集中布局在 PCB 边缘（靠近散热片区域），间距≥5mm，避免局部温度过高（温差≤10℃）。

基材高频特性：选用高 Tg（≥180℃）、低损耗基材（Df≤0.006，1MHz），适配高频逆变器（开关频率≥20kHz），减少高频损耗（损耗降低 15%）；

驱动信号优化：IGBT 驱动信号采用阻抗控制（50Ω），布线长度差≤2mm，避免驱动信号时延差导致的 IGBT 导通不一致（不一致性≤10ns），减少开关损耗。

采用三相桥式拓扑替代单相拓扑，在相同 PCB 面积下功率输出提升 3 倍；

集成平面变压器：在 PCB 内部设计平面变压器（利用 PCB 铜箔作为绕组），替代传统插件变压器，体积减少 50%，功率密度提升至 6W/cm²。

厚铜 PCB 应用：功率区域采用 70μm-105μm 厚铜箔，导热系数从 35μm 铜箔的 385W/(m・K) 提升至 401W/(m・K)，散热效率提升 40%；

散热过孔阵列：在发热器件下方设置密集散热过孔（孔径 0.3mm，间距 0.5mm），过孔数量≥10 个 /cm²，通过过孔将热量传导至 PCB 背面散热片，PCB 表面温度降低 15-20℃。

金属基板适配：对高功率逆变器（≥10kW），采用铝基 PCB 或铜基 PCB，基板导热系数≥10W/(m・K)（传统 FR-4 仅 0.2W/(m・K)），散热效率提升 50 倍；

散热膏涂覆：在功率器件与 PCB 之间涂覆导热膏（导热系数≥3W/(m・K)），接触热阻≤0.1℃/W，减少热阻损耗。

功率区域：选用耐高温 FR-4 基材（Tg≥180℃，热分解温度 Td≥300℃），或聚酰亚胺基材（耐温 260℃），避免高温下基材软化（125℃无形变）；

阻焊层：采用耐高温阻焊油墨（耐焊锡温度 300℃/10 秒），如太阳油墨 PSR-9000，5000 小时 125℃高温测试后无变色、无脱落。

功率器件焊盘：采用沉金工艺（金层厚度 0.1μm），增强耐高温性（260℃回流焊后焊接拉力≥6N）；

粘结剂：选用耐高温环氧粘结剂（耐温 150℃），用于固定散热片与 PCB，5000 小时高温测试后粘结强度衰减≤10%。